氮化硼薄膜

現(xiàn)代高性能應(yīng)用于多功能電子設(shè)備邏輯、記憶器件都趨向于使用更小的晶體管尺寸和在更小的面積里堆疊更多的電路。然而，金屬連接器維度的降低和堆疊密度的增加會導(dǎo)致電阻和電容延遲的增加，這將影響電子器件的運(yùn)行速度。目前為止，研究者主要聚焦于降低于連接器的電阻，因為使用低溫沉積工藝兼容金屬氧化物半導(dǎo)體的互補(bǔ)的電介質(zhì)集成具有大的技術(shù)挑戰(zhàn)。 連接器獨(dú)立材料必須具有低的介電常數(shù)（κ），作為擴(kuò)散屏障阻止金屬遷移進(jìn)半導(dǎo)體，并且其必須具有高的熱、化學(xué)、機(jī)械穩(wěn)定性。明確的，國際元件及系統(tǒng)技術(shù)藍(lán)圖提出在2028年之前發(fā)展介電…