純銦鎵氧化物

非晶態(tài)金屬氧化物（MO）半導(dǎo)體由于具有寬的帶隙和高的電子遷移率，成為下一代透明柔性電子器件的重要候選材料。在這些材料中，銦鎵氧化鋅（IGZO）是熱門材料之一，流動(dòng)性為10-100 cm2/Vs，在晶相和非晶相中都能穩(wěn)定工作。Ga比In具有更大的氧結(jié)合焓，調(diào)整Ga濃度可以控制和穩(wěn)定IGZO中的載流子濃度，制造的濺射IGZO器件（In:Ga:Zn～1:1:1）用于優(yōu)化薄膜晶體管（TFT）開關(guān)，但會(huì)極大的降低In2O3矩陣的電子遷移率。目前，300℃以下的溶液處理/退火方法代替了物理氣相沉積制備MO電…