• 加點(diǎn)PVA,純銦鎵氧化物的電子遷移率可提高70倍

    非晶態(tài)金屬氧化物(MO)半導(dǎo)體由于具有寬的帶隙和高的電子遷移率,成為下一代透明柔性電子器件的重要候選材料。在這些材料中,銦鎵氧化鋅(IGZO)是熱門材料之一,流動(dòng)性為10-100 cm2/Vs,在晶相和非晶相中都能穩(wěn)定工作。Ga比In具有更大的氧結(jié)合焓,調(diào)整Ga濃度可以控制和穩(wěn)定IGZO中的載流子濃度,制造的濺射IGZO器件(In:Ga:Zn~1:1:1)用于優(yōu)化薄膜晶體管(TFT)開關(guān),但會(huì)極大的降低In2O3矩陣的電子遷移率。目前,300℃以下的溶液處理/退火方法代替了物理氣相沉積制備MO電…

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