隨著大規(guī)模集成電路集成度的不斷提高,電子設(shè)備越來越小、性能越來越強大,但是隨之而來的電磁輻射污染和干擾也越來越嚴(yán)重,這在航空航天、軍事、人工智能、5G通信以及可穿戴電子設(shè)備等領(lǐng)域中尤為突出。這時,電磁屏蔽(EMI)材料對于精密電子設(shè)備的可靠操作、信息安全以及人體健康就顯得至關(guān)重要。金屬EMI材料雖然具有出色的導(dǎo)電性、EMI屏蔽和熱管理性能,但是其密度高、柔韌性差,不耐化學(xué)腐蝕,而且難以加工成型等諸多缺點嚴(yán)重制約了它們的應(yīng)用。導(dǎo)電聚合物的出現(xiàn)克服了金屬EMI材料重量大的缺點,但是這種材料的滲透閾值高,通常需要加入大量填料才能獲得理想的電導(dǎo)率和EMI性能,導(dǎo)致柔韌性、機械性能(尤其是強度和韌性)和可加工性惡化,其EMI屏蔽效果也遠低于金屬材料。

因此,開發(fā)具有超柔韌性和優(yōu)異機械性能的高效EMI屏蔽材料仍然是個巨大的挑戰(zhàn)。MXenes是一種獨特的二維(2D)過渡金屬碳化物或氮化物,具有出色的導(dǎo)電性、親水性和機械性能,可以用作電磁屏蔽材料,同時將聚合物和一維(1D)有機納米纖維摻入MXene后可以增強MXene的機械性能,但是這些復(fù)合材料與MXene的界面粘合性較弱,聚合物和有機納米纖維的加入導(dǎo)致MXenes接觸部位絕緣,不可避免地降低材料導(dǎo)電性和EMI屏蔽性能。把各種材料簡單混合在一起的做法就相當(dāng)于制造了一個“磚瓦房”,復(fù)合材料機械和EMI性能雖然有所提高,但是難以制造出同時具有超柔韌性、優(yōu)異的機械性和高效EMI性能的材料。

成果介紹

陜西科技大學(xué)馬忠雷副教授、馬建中教授和西北工業(yè)大學(xué)顧軍渭教授課題組在復(fù)合材料微觀結(jié)構(gòu)上進行了創(chuàng)新,將傳統(tǒng)的“磚瓦房”建成了兩層的 “小洋樓”,制備出超柔韌性、優(yōu)異的機械性和高效EMI性能的雙層ANF-MXene/AgNW納米復(fù)合材料。當(dāng)MXene/AgNW含量為20 wt%時,雙層納米復(fù)合材料表現(xiàn)出優(yōu)異的機械性能:拉伸強度235.9 MPa,斷裂應(yīng)變24.8%,同時電導(dǎo)率達到922.0 S·cm-1、EMI屏蔽效率為48.1 dB。當(dāng)MXene/AgNW含量為80 wt%時,材料最大電導(dǎo)率更是高達3725.6 S·cm-1,EMI屏蔽效率為80 dB,能屏蔽99.999999%的入射電磁波。此外,這種雙層納米復(fù)合材料還是一種優(yōu)異的焦耳加熱器,在1 V電壓下材料飽和溫度就能達到41.2℃,非常適合穿戴治療應(yīng)用。

《ACS Nano》:超柔韌的電磁屏蔽材料,屏蔽效率高達99.999999%!

雙層納米復(fù)合材料的合成

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圖1.(a)凱夫拉纖維去質(zhì)子化制備ANF;(b-c)ANF的SEM和TEM圖像;(d)通過蝕刻和分層法合成Ti3C2TxMXene以及相應(yīng)的XRD譜圖;(e-f)Ti3C2TxMXene的SEM和TEM圖像;(g-h)通過多元醇法合成的AgNW的SEM和TEM圖像。

 

為了制備凱夫拉納米纖維ANF,研究者以芳香族聚酰胺(PPTA)纖維為原料,在氫氧化鉀/二甲基亞砜(KOH/DMSO)混合溶液中通過去質(zhì)子化方法,削弱了PPTA聚合物鏈之間的氫鍵相互作用,制備出了高度穩(wěn)定且均勻的ANF分散體,直徑約為10 nm,長度為數(shù)微米。

研究者以Ti3AlC2(MAX)為原料,用HCl/LiF選擇性刻蝕掉Al層制備出了多層Ti3C2Tx(m-Ti3C2Tx),然后進一步超聲波,將m-Ti3C2Tx剝離為單層Ti3C2TxMXene。研究者通過液相多元醇法合成了AgNW,平均直徑約為50 nm,長徑比約為800。

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圖2.?(a)合成雙層ANF-MXene/AgNW納米復(fù)合材料示意圖;雙層(b-b’)和均勻混合(c-c’)納米復(fù)合材料上、下表面的照片;雙層(d-d’)和均勻混合(e-e’)納米復(fù)合材料上、下表面的SEM圖像;雙層(f-f’)和均勻混合(g-g’)納米復(fù)合材料的斷面圖像。

 

在合成了所需的原料后,研究者采用兩步真空輔助過濾(TVAF)和熱壓技術(shù)成功制備出了雙層結(jié)構(gòu)納米復(fù)合材料:第一步,將濃度為0.5 mg/mL的ANF分散液(80 mL)通過真空過濾到尼龍多孔膜上(真空過濾I);隨后,將一定量的MXene和AgNW通過超聲處理得到均勻的混合物溶液;第二步通過真空過濾將其沉積在ANF/尼龍膜的上部(真空過濾II);最后,在60℃和1MPa的熱壓下干燥,將雙層納米復(fù)合材料從尼龍膜上剝離即可。作為對比,研究者還采用一步真空法制備了這種材料,也就是“磚瓦房”。

采用TVAF制備的雙層結(jié)構(gòu)與一步法完全不同,雙層結(jié)構(gòu)上表面為黑灰色(MXene/AgNW),下表面上為黃色(ANF的顏色),而一步法均勻混合的“磚瓦房”上下表面均為相同的黑色。不僅如此,雙層結(jié)構(gòu)在上表面顯示出葉狀的MXene/AgNW納米結(jié)構(gòu),這一結(jié)構(gòu)由1D的AgNWs作為導(dǎo)電骨架(靜脈),2D的Ti3C2TxMXene作為連接(薄片)構(gòu)成,兩者互補結(jié)合后,在ANF上構(gòu)建了連續(xù)且高效的3D導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),以實現(xiàn)電子的快速傳輸。相比之下,一步法均勻混合的復(fù)合材料表現(xiàn)出均勻分布的ANF、Ti3C2TxMXene和AgNWs的“磚瓦房”結(jié)構(gòu)。

雙層納米復(fù)合材料的力學(xué)和導(dǎo)電性能

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圖3. (a-b)雙層和均勻混合納米復(fù)合材料的XRD圖譜和電導(dǎo)率;(c)雙層納米復(fù)合材料照片,具有超柔韌性,可承受500 g的重量;(d)雙層納米復(fù)合材料在反復(fù)彎曲和拉伸時的實時相對電阻;(e)通過雙層納米復(fù)合材料點亮“SUST”LED燈;(f-g)雙層與均勻混合納米復(fù)合材料的拉伸應(yīng)力-應(yīng)變曲線;(h-i)雙層和均勻混合納米復(fù)合材料的拉伸強度和斷裂應(yīng)變。

 

研究者發(fā)現(xiàn)隨著材料中MXene/AgNW含量的增加,形成了更有效的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),材料電導(dǎo)率增加:當(dāng)MXene/AgNW含量從5wt%增加到10wt%時,雙層和均勻混合的納米復(fù)合材料電導(dǎo)率分別從0.10和4.2增加到0.65和157.2 S·cm-1。與均勻混合的納米復(fù)合材料相比,雙層結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出更強的電導(dǎo)率,這與雙層結(jié)構(gòu)更高效MXene/AgNW導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)密不可分。當(dāng)MXene/AgNW含量為80 wt%時,雙層結(jié)構(gòu)的電導(dǎo)率高達3725.6 S·cm-1,而均勻混合結(jié)構(gòu)電導(dǎo)率只有98.9 S·cm-1,整整高出37倍。

雙層結(jié)構(gòu)超柔韌性和優(yōu)異的機械性能對于設(shè)計高性能EMI屏蔽材料來說更具重要意義。雙層納米復(fù)合材料可以對折成兩半,并能承受500 g的重量,沒有出現(xiàn)任何裂縫或斷裂,表現(xiàn)出優(yōu)異機械性能。雙層納米復(fù)合材料在反復(fù)彎曲和拉伸時表現(xiàn)出非常穩(wěn)定的實時相對電阻,R/R0在0.996和1.008之間,彎曲角度為200°時曲率半徑為4毫米?!癝UST”LED燈在反復(fù)彎曲和拉伸時具有穩(wěn)定的亮度,說明在施加應(yīng)力/應(yīng)變場下材料出色柔韌性和導(dǎo)電穩(wěn)定性。

雙層納米復(fù)合材料的電磁屏蔽性能

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圖4.(a-c)雙層和均勻混合納米復(fù)合材料的EMI SE和屏蔽效率;(d)雙層和均勻混合納米復(fù)合材料總EMI屏蔽效果(SET),微波反射(SER)和微波吸收(SEA)性能;(e-f)不同MXene/AgNW比例的雙層納米復(fù)合材料EMI SE和拉伸性能。

 

研究發(fā)現(xiàn)在8.2-12.4 GHz(X波段)的頻率范圍內(nèi),雙層和均勻混合納米復(fù)合材料都表現(xiàn)出良好的電磁屏蔽性能,但是雙層結(jié)構(gòu)性能更加優(yōu)異:當(dāng)MXene/AgNW含量為10%時,雙層納米材料EMI SE為35.5 dB,遠高于20dB的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn),而均勻混合材料只有9.8 dB;當(dāng)MXene/AgNW含量為80 wt%時,雙層納米材料的EMI最高增加到80.0 dB,而均勻混合材料的EMI則提高到50.9 dB。從上述結(jié)果可以看到,只需要加入10wt%的MXene/AgNW,雙層納米材料電磁屏蔽效率就能達到99.97%,可以滿足大多數(shù)應(yīng)用的需求,而加入80 wt %的MXene/AgNW后,雙層納米復(fù)合材料能屏蔽99.999999%的入射電磁波。

雙層納米復(fù)合材料熱管理性能

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圖5.(a)MXene/AgNW為20 wt%時雙層納米復(fù)合材料表面溫度隨時間的變化曲線;(b)實驗數(shù)據(jù)和飽和溫度對電壓的線性擬合;(c)雙層納米復(fù)合材料彎曲后的紅外熱像儀圖像;(d)根據(jù)電壓的梯度變化,調(diào)控雙層納米復(fù)合材料的表面溫度;(e)雙層納米復(fù)合材料在2 V恒定電壓下的長時間溫度曲線。

 

雙層納米復(fù)合材料除了具有出色的機械和EMI屏蔽性能外,還具有優(yōu)秀的熱管理性能,可以用作高性能焦耳加熱器。當(dāng)MXene/AgNW含量為20 wt%時,雙層納米復(fù)合材料在1 V的低電壓下飽和溫度為 41.2℃,非常適合穿戴治療應(yīng)用;在2.5 V下,雙層納米復(fù)合材料的表面溫度在15 s內(nèi)就能迅速超過115℃。通過改變電壓就能輕松調(diào)節(jié)雙層納米復(fù)合材料的表面溫度,而且表面溫度分布均勻,材料即使被彎曲,熱管理性能也不會打折扣,可以在1小時內(nèi)維持75℃左右的溫度。

小結(jié)

陜西科技大學(xué)馬忠雷副教授、馬建中教授和西北工業(yè)大學(xué)顧軍渭教授課題組采用兩步真空輔助過濾(TVAF)和熱壓技術(shù),制備出具有雙層結(jié)構(gòu)的納米復(fù)合EMI材料ANF-MXene/AgNW。這種材料具有超柔韌性、優(yōu)異的機械性和高效EMI性能,同時還是一種高效的焦耳加熱器。當(dāng)將材料對折成兩半后仍然能承受500 g的重量,沒有出現(xiàn)任何裂縫或斷裂,表現(xiàn)出優(yōu)異的韌性和機械性能。當(dāng)MXene/AgNW含量為80 wt%時,雙層結(jié)構(gòu)的電導(dǎo)率高達3725.6 S·cm-1,能屏蔽99.999999%的入射電磁波,而均勻混合結(jié)構(gòu)電導(dǎo)率只有98.9 S·cm-1,整整高出37倍,如此優(yōu)異的性能與雙層結(jié)構(gòu)、ANF和各組分之間豐富的氫鍵相互作用密不可分。雙層納米復(fù)合材料在1 V的低電壓數(shù)秒內(nèi)就能達到41.2℃,并且非常穩(wěn)定;在2.5 V下,表面溫度在15 s內(nèi)就能迅速超過115℃,表現(xiàn)出優(yōu)異的熱管理性能。

原文鏈接:

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c02401

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